Polprevodniške tehnologije
Osnovni podatki
Opis predmeta
Principi delovanja in izdelave naprednih polprevodniških elementov.
Napredne lastnosti in delovanje anorganskih, organskih in hibridnih polprevodnikov: zgradba in energijski pasovi, dopiranje in tipi polprevodnikov, transport nosilcev, selektivni kontakti.
Pridobivanje surovin in obdelava polprevodniških materialov, tehnološka oprema za izdelavo, vakuumska tehnika.
Procesi izdelave plasti in struktur: depozicijske tehnike za nanos različnih plasti, tehnike dopiranja, strukturiranje, litografija, mokro in suho jedkanje. Pregled postopkov izdelave posameznih elementov (dioda, MOS tranzistor, sončna celica) in večjih sklopov (integrirana vezja).
Karakterizacijske metode mehanskih, elektronskih in optičnih lastnosti: topologija in morfologija, debelina plasti, določanje kemijske sestave in kristalne zgradbe, položaj energijskih pasov in kvalitete polprevodnika.
Procesi izdelave in karakterizacija v fotonapetostnih in optoelektronskih gradnikih (silicijeve, perovskitne in ostale tankoplastne sončne celice, polprevodniški laserji, LED svetila, polprevodniški senzorji).
Nove tehnologije in materiali: nanocevke, grafen, kvantne tehnologije, materiali za fotonska integrirana vezja.
Cilji
Poznavanje osnov delovanja naprednih polprevodniških elementov.
Poznavanje sodobnih procesnih in karakterizacijskih tehnik ter trendov na področju naprednih polprevodniških tehnologij.
Sposobnost nadaljnjega samostojnega raziskovalnega dela na tem področju.
Metode poučevanja in učenja
- Predavanja se izvedejo na začetku semestra v enem ali dveh terminih (pregled tematike in trendi).
- Konzultacije (predvsem v okviru seminarske naloge).
- Samostojno delo in seminarska naloga: izbor teme seminarske naloge po posvetu s predavateljem. Študent preuči izbrano tematiko, izdela seminarsko nalogo in jo nato zagovarja.