Elementi polprevodniške elektronike

Polprevodniški materiali in njihove lastnosti. Električne lastnosti homogenih (nedopiranih in dopiranih) polprevodnikov.

Polprevodniški pn-spoj in diode. Analiza elektrostatičnih razmer, tokovno-napetostna karakteristika idealnega in realnega pn-spoja, režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Prebojne diode. Močnostne diode.

Bipolarni tranzistorji. Analiza elektrostatičnih razmer, tokovno-napetostne karakteristike idealnih in realnih bipolarnih tranzistorjev, orientacije in režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo četveropolov, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Ojačevalne stopnje in njihove lastnosti.

Unipolarni tranzistorji. FET s pn-spojem in MOS tranzistor. Analiza elektrostatičnih razmer, tokovno-napetostne karakteristike idealnih in realnih tranzistorjev, orientacije in režimi delovanja, malosignalna analiza z linearizacijo četveropolov, velikosignalna analiza, frekvenčna odvisnost. Ojačevalne stopnje. CMOS invertor.

Zgradbe in delovanje močnostnih polprevodniških elementov: pnpn dioda, diak, tiristor, triak, IGBT.

Zgradbe in delovanje optoelektronskih elementov: svetleče diode, laserske diode, optospojniki. Detektorji svetlobe. Sončne celice in fotonapetostni moduli.

Predmet podaja temeljna znanja s področja elementov polprevodniške elektronike, ki so osnova za inženirje elektrotehnike. Predmet sestavljajo teoretične osnove polprevodnikov in elememntov, ki so navezane na praktična znanja iz prakse. Snov predstavlja zaključeno celoto s področja elektronskih elementov in predstavlja podlago za strokovne predmete v višjih letnikih študija elektronike.

Predavanja, laboratorijske vaje, delo doma/domače naloge.